Pubblicato da: Pedro | marzo 29, 2008

MOS a canale corto

I transistori MOS a canale corto (submicrometrica), presentano in prima approssimazione una dipendenza lineare della corrente di drain rispetto alla dipendenza quadratica dei transistori a canale lungo.

Principale causa di questo fenomeno è il degrado della mobilità e la saturazione della velocità dei portatori dovuta ai forti campi elettrici. Ci sono però altri effetti (punch trought) che tendono ad abbassare la tensione di soglia.

Con il numero 36 vedete indicate delle diffusioni meno profonde con lo scopo di far cadere più tensione in quei punti e non far saturare la velocità dei portatori nel canale.


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