Pubblicato da: Pedro | marzo 9, 2007

Nuove memorie sconvolgono la piramide

La promessa di intel è di avere i primi prototipi di PRAM funzionanti per questa estate. Nella tecnologia in questione l’informazione è memorizzata nella fase del materiale semiconduttore che passa da cristallono ad amorfa e viceversa. Questa variazione dello stato di aggregazione della materia è leggibile elettricamente come una variazione di “resistenza” del materiale. La tecnologia permette, oltre a velocità di lettura/scrittura più elevate rispetto alle flash, anche una longevità migliorata.
Ma quello che forse le rende più appetibili è una integrabilità maggiore (memorie di formato maggiore), unita ad una produzione commerciale a prezzi ridotti (richiesti solo due strati fotolitografici).
Se memorie non volatili di questo tipo e con queste velocità diventeranno di uso comune, dovrà cambiare il modo in cui è organizzata la famosa piramide della memoria, legata al paradigma poco e veloce contro tanto e lento.
Saranno da studiare nuovi algoritmi di gestione della memoria e nuovi modi di sfruttare la risorsa, beh staremo a vedere.
Positivo il fatto che nell’impresa il partner di Intel sia la nostrana STMicroelectronics…

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